日前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3DNAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，长江存储在美国&反击&美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3DNAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3DNAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3DNAND的晶圆制造设备和技术。

这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3DNANDFlash相关的美国专利。

2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3DNANDFlash相关的美国专利X@lithos_graphein

另外，今年6月7日，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司StrandConsult及副总裁雷顿（RoslynLayton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3DNAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚至不违反美国制裁），具有高达2400MT/s的接口。

今年早些时候，长江存储表示已成功将3DQLCNAND的耐用性大幅提高到3DTLCNAND的水平（达到4000次编程/擦除周期），这显著改善了廉价SSD的特性。

PatriotMemory的ViperPD573SSDTomshardware

值得一提的是，媒体6月报道，美国的PatriotMemory正在准备一款高端新产品——ViperPD573SSD，基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3DNAND闪存，其读取速度高达14GB/s，写入速度达到12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3DNAND闪存市场上的重要地位。

来源|观网财经